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在硅晶体生长过程中以及切片过程中都可能有一定数量的杂质进入硅中,典型的杂质有氧、碳和重金属。这些杂质和其它晶体缺陷已证明是器件失效和成品率低的主要原因。目前,阻止这些缺陷产生似乎是不可能的,但是必须对缺陷加以控制。基于这一理由,人们十分关注硅片吸杂—这是当前唯一流行的用来控制硅品格缺陷的方法。
硅片吸杂—提高器件收率的关键
【摘 要】
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在硅晶体生长过程中以及切片过程中都可能有一定数量的杂质进入硅中,典型的杂质有氧、碳和重金属。这些杂质和其它晶体缺陷已证明是器件失效和成品率低的主要原因。目前,阻止
【出 处】
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中国有色冶金
【发表日期】
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1984年4期
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