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可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C—SiC／Si（111）衬底的制备

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sophiayingfeng

【摘 要】

：

利用新研制出的垂直式低压CVD(LPCVD)SiC生长系统，获得了高质量的50ram 3C—SiC／Si(111)衬底材料．系统研究了3C—SiC的n型和P型原位掺杂技术，获得了生长速率和表面形貌对反应气体

【作 者】

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孙国胜 张永兴 高欣 王军喜 王雷 赵万顺 王晓亮 曾一平 

【机 构】

：

中国科学院半导体研究所

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年10期

【关键词】

：

3C—SiC/Si(111)衬底 LPCVD GAN C-SiC/Si(111) LPCVD GaN 

【基金项目】

：

国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 -6),,国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA3 110 90 )资助项目~~

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利用新研制出的垂直式低压CVD(LPCVD)SiC生长系统，获得了高质量的50ram 3C—SiC／Si(111)衬底材料．系统研究了3C—SiC的n型和P型原位掺杂技术，获得了生长速率和表面形貌对反应气体中SiH4流量和C／Si原子比率的依赖关系．利用Hall测试技术、非接触式方块电阻测试方法和SIMS，分别研究了3C—SiC的电学特性、均匀性和故意调制掺杂的N浓度纵向分布．利用MBE方法，在原生长的50ram 3C—SiC／Si(111)衬底上进行了GaN的外延生长，并研究了GaN材料的表面、结构和光

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