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采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3／Nb薄膜，然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌。结果表明：采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面，其纳米线的直径大约50nm，纳米线的长约几个微米。室温下以32nm波长的光激发样品表面，只显示出一个位于367nm的很强的紫外发光峰。最后，简单讨论了GaN纳米线的生长机制。