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常压化学气相淀积表面成膜(APCVD)工艺流程长,能耗、物耗高,污染物产生量大。采用等离子化学气相淀积(PECVD)工艺按水平组合正交表的设计方法,选择SiH4流量、NH3流量、温度、时间、射频功率、腔内压、淀积速率与淀积厚度8项因素,分别进行了L9(34)三水平四因素试验。以PECVD工艺替代APCVD,实现了年节电326.4万k W·h,减排污水2.63万t、CODCr5.71 t、氟化物1.17 t、氨气0.15 t和氮氧化物0.11 t。