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采用CMOS工艺可以实现离子敏场效应型晶体管（ISFET），若在栅极氧化层之上保留多晶硅层，并通过引线使其与外界的金属层相连作为悬浮的栅极，可实现悬浮栅结构ISFET。从ISFET的传感机理出发，根据表面基模型，利用HSPICE建立了悬浮栅结构ISFET的物理模型。以该模型为研究对象，探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等因素的关系，并对其静态特性进行仿真，仿真结果和试验数据基本相符。