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论述了锗晶片表面清洗的不同方法以及表面清洗的机理。锗晶片的表面清洗分为干法清洗和湿法清洗。湿法清洗一般采用氧化、剥离的清洗原理,即首先采用氧化性溶液将锗晶片表面进行氧化,然后再用一定的化学方法将晶片表面的氧化物去除,从而实现对晶片表面的清洗。干法清洗是采用气相化学法去除晶片表面污染物,主要包含热氧化法和等离子清洗法。