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用提拉法生长了不同生长了两种(Zn]/[Fe]的Zn:Fe:LiNbO3晶体(Zn(3mol%),Fe(0.03%)LiNbO3和Zn(6mol%)Fe(0.03%)LiNbO3)),通过对晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间以及抗光致散射能力等体全息存储性能的测试,发现通过选择适当的掺杂离子、掺杂浓度可以调节晶体的体全息存储性能.