【摘 要】
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采用等离子体增强的MOCVD技术, 以均匀混合的金属β-二酮鳌合物固态源Y(DPM)3和Zr(DPM)4作为前驱物, 在NiO/SDC多孔阳极和多孔α-Al2O3衬底上制备了氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)
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采用等离子体增强的MOCVD技术, 以均匀混合的金属β-二酮鳌合物固态源Y(DPM)3和Zr(DPM)4作为前驱物, 在NiO/SDC多孔阳极和多孔α-Al2O3衬底上制备了氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)薄膜. 研究了两种衬底对成膜过程和膜的结构以及微结构的影响, 讨论了源区输运机制及薄膜生长动力学. XPS分析结果表明, 薄膜中Y和Zr元素的摩尔比低于原始混合源中的Y和Zr元素的摩尔比, 当混合源中的Y和Zr元素的摩尔比约为0.35:1时, 可以获得无定形态的8%YSZ薄膜, 经高温焙烧转化为单一立方相,
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