【摘 要】
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本文观察和测量了Si_3N_4和SiO_xN_y薄膜在俄歇电子谱(AES)分析中的电子束和离子束效应。结果表明在高束流密度电子束辐照下没有观察到任何损伤特征峰。延长辐照时间仅导致氧
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本文观察和测量了Si_3N_4和SiO_xN_y薄膜在俄歇电子谱(AES)分析中的电子束和离子束效应。结果表明在高束流密度电子束辐照下没有观察到任何损伤特征峰。延长辐照时间仅导致氧的解吸和Si、N讯号增加,最后达到一个稳定态。Si_3N_4和SiO_xN_y对离子辐照很容易造成损伤。但在高束流密度的电子束辐照下离子损伤的表面可以恢复。恢复程度与电子束流密度、束能、辐照时间和样品制备工艺有关。最后,本文对离子辐照损伤和恢复的机理进行了讨论。
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