【摘 要】
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采用真空蒸镀方法,制备了以N-BDAVBi为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件,器件的结构为ITO/2T-NATA（40 nm）/NPB（10 nm）/N-BDAVBi（（3＋d）nm）/ADN（7 nm）/N-BDAVBi（（3＋d）nm）/ADN（7 nm）/Alq3
【机 构】
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江苏大学材料科学与工程学院,吉林师范大学信息技术学院,吉林医药学院教务处
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采用真空蒸镀方法,制备了以N-BDAVBi为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件,器件的结构为ITO/2T-NATA（40 nm）/NPB（10 nm）/N-BDAVBi（（3＋d）nm）/ADN（7 nm）/N-BDAVBi（（3＋d）nm）/ADN（7 nm）/Alq3（30 nm）/LiF（0.5 nm）/Al.通过调整N-BDAVBi层的厚度,研究了器件的发光性能.结果表明,当N-BDAVBi的厚度为7 nm时,器件在6 V电压下的电流效率最大,为4.38 cd/A;当N-BDAVBi的厚度为
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