【摘 要】
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采用固相反应法制备了低温烧结NiCuZn铁氧体，研究了Co^2＋替代量对铁氧体材料显微结构、饱和磁感应强度、矫顽力以及在偏置磁场下磁导率和品质因数的影响。研究表明，对于低磁导率
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用固相反应法制备了低温烧结NiCuZn铁氧体，研究了Co^2＋替代量对铁氧体材料显微结构、饱和磁感应强度、矫顽力以及在偏置磁场下磁导率和品质因数的影响。研究表明，对于低磁导率的NiCuZn铁氧体，适量Co^2＋替代可对铁氧体负的磁晶各向异性常数进行补偿，能在一定程度上提升材料的磁导率。在大直流偏置场的作用下，铁氧体的磁导率都出现明显的下降，而矫顽力是决定其增量磁导率的主要因素。
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