论文部分内容阅读
微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取HFET的小信号等效电路模型参数。采用带回火的模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数，得到了高质量的解。计算结果是全局最优解，摆脱了初始值的影响，并且克服了局部优化算法遇到的不收敛或收敛到错误解的问题。利用测量得到的栅电阻，计算结果的精度可以进一步提高。这个算法同样也适用于HBT、电容和电感等器件模型参数的提取。