薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27~300℃)宽温区高温特性的研究

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本文在对p+ p p+结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在(27~300℃)宽温区高温特性,理论和实验研究结果表明p+p p +结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件实验样品在(27~300℃)宽温区具有良好的高温特性 .
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