【摘 要】
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采用高温再结晶工艺制备了定向生长SiC晶体和气孔的梯度多孔高纯碳化硅陶瓷。在这项工作中,碳化硅分解产生混合气体,多孔陶瓷烧结过程中产生的混合气体的流动导致碳化硅颗粒
【机 构】
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中国有色桂林矿产地质研究院有限公司,国家特种矿物材料工程技术研究中心,广西超硬材料重点实验室
【基金项目】
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桂林市科技攻关项目(2016010706);桂林市"1020"创新驱动计划重大攻关项目(20160204);中国有色集团科技计划项目(2016KJJH03);广西区直科技型企业科研成果转化资金项目(桂科成2016251016)
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采用高温再结晶工艺制备了定向生长SiC晶体和气孔的梯度多孔高纯碳化硅陶瓷。在这项工作中,碳化硅分解产生混合气体,多孔陶瓷烧结过程中产生的混合气体的流动导致碳化硅颗粒的表面烧蚀、重排和再结晶,从而形成定向排列的柱状碳化硅晶体和管状气孔。样品在不同部位分解和再结晶速率的差异,导致样品沿轴向从下到上形成孔隙率和孔径的梯度分布。以Si粉作为成孔剂,促进毛孔的互联互通的形成。随着硅含量的增加,孔隙率和孔径增大,抗弯强度下降。样品的总孔隙率为38%~47%,其抗弯强度为14~45 MPa。
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