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本文用化学沉积法制备出了Pd-GaP肖特基势垒.通过对其C-V特性、I-V特性、开关特性的研究.测量出了样品的接触电势差U_D,理想因子n,开关时间τ等参数,特别在实验中发现,Pd-GaP肖特基结构具有优越的稳压二极管的性能.本文列举了稳压特性参量的测试结果.
Pd—GaP肖特基势垒的特性研究
【摘 要】
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本文用化学沉积法制备出了Pd-GaP肖特基势垒.通过对其C-V特性、I-V特性、开关特性的研究.测量出了样品的接触电势差U_D,理想因子n,开关时间τ等参数,特别在实验中发现,Pd-GaP
【机 构】
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东北电力学院基础部,吉林大学电子科学系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1993年4期
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