【摘 要】
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对层叠芯片BGA（SDBGA）阵列进行了线性小变形和非线性大翘曲仿真。与实验测量结果相比，线性方法不能反映翘曲形态而非线性大变形仿真能够反映出这种翘曲。原因在于，在小变形假设下
【机 构】
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意法半导体629Lorong4／6ToaPayoh
【基金项目】
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致谢 感谢来自意法半导体封装与自动化研发部的Carlo Cognetti博上及Kho Chek Lim先生对本项目的大力支持.
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对层叠芯片BGA（SDBGA）阵列进行了线性小变形和非线性大翘曲仿真。与实验测量结果相比，线性方法不能反映翘曲形态而非线性大变形仿真能够反映出这种翘曲。原因在于，在小变形假设下，线性仿真不能考虑变形之后横断面惯性矩的变化。而非线性仿真则不受此假设的影响。文中基于非线性特性分析、预测了在整个集成工艺中SDBGA阵列的翘曲。利用“弯曲交互作用”和“翘曲竞争”解释了SDBGA阵列的翘曲特性。通过与线性仿真结果的比较，量化了几何非线性对集成工艺中SDBGA块封装翘曲的影响。
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