准分子激光对半导体材料HgCdTe和Si的损伤实验研究

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【摘要】

：

本文利用光学显微镜和扫描电镜对248nm准分子强激光辐照HgCdTc和Si晶片的表面损伤形貌和损伤过程进行了对比分析，结果表明在248nm准分子激光作用下，HgCdTe材料主要表现为解离剥

【作者】

：

戚树明陈传松郭娟周新玲王娟满宝元

【机构】

：

山东师范大学物理与电子科学学院

【出处】

：

激光杂志

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

248nm准分子激光损伤机理光化学作用光热作用 248nm excimer laser damage mechanism photochemical

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本文利用光学显微镜和扫描电镜对248nm准分子强激光辐照HgCdTc和Si晶片的表面损伤形貌和损伤过程进行了对比分析，结果表明在248nm准分子激光作用下，HgCdTe材料主要表现为解离剥蚀破坏和熔融烧蚀破坏，准分子激光对其损伤机理既包含光化学作用也包含光热作用；而Si材料则主要表现为熔融烧蚀破坏，准分子激光对其损伤机理主要为光热作用.

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