【摘 要】
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美国俄勒冈州立大学（OSU）的研究人员在提高MIM二极管（金属绝缘二极管）性能方面取得了显著地成绩，在不久的将来，人们有望利用这些更高性能的MIM二极管制造更高性能的微电子产品。 MIM二极管仿佛是一个两块金属中间夹着两块绝缘体的“三明治”，最新研究证明，添加第二块绝缘体使电子的“步隧穿”成为可能，在“步隧穿”这种情况下，一个电子仅仅隧穿过一个绝缘体而非两个绝缘体，这一点使二极管的非对称性、非线
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美国俄勒冈州立大学（OSU）的研究人员在提高MIM二极管（金属绝缘二极管）性能方面取得了显著地成绩，在不久的将来，人们有望利用这些更高性能的MIM二极管制造更高性能的微电子产品。
MIM二极管仿佛是一个两块金属中间夹着两块绝缘体的“三明治”，最新研究证明，添加第二块绝缘体使电子的“步隧穿”成为可能，在“步隧穿”这种情况下，一个电子仅仅隧穿过一个绝缘体而非两个绝缘体，这一点使二极管的非对称性、非线性得到精确的控制，而且，也能在更低的电压下整流。同时这一结构也确保了电子的高速运动。
传统的硅电子设备虽然成本低廉，但其运行速度目前正接近极限。而新的MIM二极管则解决了硅基设备面临的电子通过硅时速度太慢这一问题，由MIM二极管制成的电子设备的运行速度将显著改进。
该研究团队曾在三年前首次成功制造出高性能的MIM二极管。他们表示，新的MIM二极管有望被用来制造更复杂的微电子设备，包括性能更优异的液晶显示屏、手机、电视机以及超高速的计算机等。而且，MIM二极管也可以使用廉价且环保的材料以较低的成本大规模地生产。
文章来源：http：//www.usnews.com/science/articles/2011/02/22/green-electronic-technology
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