【摘 要】
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考虑束-离子通道边界上等离子体电子可能发生的扰动,导出了TM模本征方程的理论式.通过对理论结果的数值模拟计算,在阶跃边界情况下将束-离子通道与一般介质波导的电磁关系进
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院,中国科学院电子学研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金-中国工程物理研究院(NSAF)联合基金;
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考虑束-离子通道边界上等离子体电子可能发生的扰动,导出了TM模本征方程的理论式.通过对理论结果的数值模拟计算,在阶跃边界情况下将束-离子通道与一般介质波导的电磁关系进行了比较,发现束-离子通道可以通过改变等离子体频率来控制其工作模式.分析对照扰动电荷边界与阶跃边界对束-离子通道电磁模式的影响,观察到在扰动电荷边界情况下,束-离子通道在低频区域(ω＜ωp,ωp为等离子体频率)内截止频率显著提高,并在高频区域(ω＞ωp)内出现了新的电磁模式.研究结果对离子通道激光(ICL)和离子通道电子回旋脉塞(ICECM)的设计提供重要的理论依据.
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