【摘 要】
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提出了一种低电压高增益CMOS下变频混频器的新结构.这个结构避免了堆叠晶体管,因此可以在低电压下工作.在LO 信号的频率为1 .452GHz, RF 信号频率为1 .45GHz 的情况下,仿真结
【机 构】
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清华大学电子工程系,清华大学微电子研究所 北京100084,北京100084
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提出了一种低电压高增益CMOS下变频混频器的新结构.这个结构避免了堆叠晶体管,因此可以在低电压下工作.在LO 信号的频率为1 .452GHz, RF 信号频率为1 .45GHz 的情况下,仿真结果表明:混频器的增益为15dB,IIP3为-4 .5dBm,NF为17dB,最大瞬态功耗为9. 3mW,直流功耗为9. 2mW.并对该混频器的噪声特性和线性度进行了分析.
A new low-voltage, high-gain CMOS downconversion mixer is proposed, which avoids stacked transistors and therefore operates at low voltages. With a LO signal frequency of 1.452 GHz and an RF signal frequency of 1.45 GHz The simulation results show that the mixer gain is 15dB, IIP3 is -4.5dBm, NF is 17dB, the maximum transient power consumption is 9.3mW, the DC power consumption is 9.2mW, and the mixing frequency The noise characteristics and linearity of the device were analyzed.
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