HxPO(3-x)-4印迹聚吡咯膜材料的制备及其电控离子交换性能

来源 :太原理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:libolb666
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采用恒电位电化学聚合法在镀金石英晶片上制备聚吡咯(PPy)印迹膜材料,通过SEM、FT-IR和XPS对膜材料的形貌、结构和组成进行表征.结果显示,材料表面微观形貌为菜花状,膜材料内含有H2 PO-4,具有H2 PO-4印迹PPy膜材料的特征.使用电化学法考察其对HxPO(3-x)-4的交换性能,结果表明,离子交换容量随pH值的增大先减小后增大,呈“V”形,随NaH2PO4浓度的增大而单调增大,最高可达150 mg/g.
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