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本文讨论了分布在SiO2中纳米碳化硅晶须的拉曼受激散射现象.在用非晶态SiO2包覆的纳米碳化硅材料中,随纳米碳化硅含量增高,激发阈值降低,激发强度增大.这是由于量子限域效应所致.随纳米晶须的半径降低,激发阈值降低;并且随激发波长的增长,蓝移减小.
纳米晶须SiC受激拉曼光散射性质研究
【摘 要】
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本文讨论了分布在SiO2中纳米碳化硅晶须的拉曼受激散射现象.在用非晶态SiO2包覆的纳米碳化硅材料中,随纳米碳化硅含量增高,激发阈值降低,激发强度增大.这是由于量子限域效应
【机 构】
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华中理工大学,湖北工学院
【出 处】
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激光杂志
【发表日期】
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2002年3期
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