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推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型，模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应．利用三角势垒近似求解薛定谔方程，得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到量子束缚效应．由于量子束缚效应的存在，第一个子带高于导带底，这等效于禁带变宽．凼此源漏端的势垒高度提高，载流子密度降低，漏电流降低．以前的模型仅考虑由于镜像力导致的肖特基势垒降低，因而不能准确表示漏电流．包含量子束缚效应的漏电流模型克服了这些缺陷．结果表明，较小的非负肖特基势垒，甚至零势垒高度，也存在隧穿电流．二维器件模拟器Silvac