915 nm宽条形半导体激光器输出特性

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fly_songs

【摘要】

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为了研究温升对915 nm宽条形应变量子阱半导体激光器输出特性的影响,搭建了基于半导体制冷片(TEC)的双向温控平台对其进行了测试。首先,改变激光器的外表面温度,测量其在不同

【作者】

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么娜薄报学刘荣战徐雨萌高欣

【机构】

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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2020年4期

【关键词】

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半导体激光器热透镜热分析慢轴发散角 semiconductor laserthermal lensthermal analysisslow axis di

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61774024),国家重点研发计划(2017YFB0405100),吉林省科技发展计划(20170101047JC,20170203014GX,20190302007GX)资助项目

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为了研究温升对915 nm宽条形应变量子阱半导体激光器输出特性的影响,搭建了基于半导体制冷片(TEC)的双向温控平台对其进行了测试。首先,改变激光器的外表面温度,测量其在不同注入电流时的光功率和波长,并利用CCD相机测量其慢轴发散角。然后,利用计算机仿真软件对激光器的工作状态进行稳态模拟,从而获得了其对应的热分布情况,通过将模拟得到的数据与实验测量的结果进行比较,获得了两者趋于一致的结论:当热功率从2.1 W升高至20.0 W时,慢轴发散角从2.6°增大至5.0°,同时波长发生红移,热

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