【摘 要】
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基于SOI技术,利用ICP体硅深加工,设计分析了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用三梁-扇形质量块平板内振动结构。对称的布局方式,
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省微电子机械系统工程技术研究中心
【基金项目】
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安徽省自然科学基金（编号：090414199）资助项目, 合肥工业大学重大项目预研专项（编号：2010HGZD012）资助项目, 中央高校基本科研业务费（编号：2010HGXJ0224）资助项目, 中国兵器工业第二一四研究所军工预研资金（编号：2009QTXM0151）资助项目
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基于SOI技术,利用ICP体硅深加工,设计分析了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用三梁-扇形质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效的消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度。论文建立了理论模型,并利用ANSYS软件对传感器进行模拟分析与验证,理论与模拟分析结论吻合较好。分析表明,加速度计在X轴向和Y轴向灵敏度分别为1.2μv/g和1.18μv/g;谐振频率分别为479kHz和475kHz。可实现对量程高达25万g加速度的测量。
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