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为了更好地提高Ga As基半导体材料器件的性能,对p型Ga As基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了实验优化研究。使Ti/Pt/Au/p-Ga As分别在380益耀460益快速退火温度和40s耀80s快速退火时间下进行欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。结果表明：为了与n-Ga As快速退火温度相兼容,Ti/Pt/Au/p-Ga As在420益快速退火温度和60s退火时间下形成了较好的接触电阻率3.91伊10-5赘·cm2。