Q2D半导体电子和空穴统计

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用半导体统计方法导出准二维半导体自由载流子面密度的数学表达式,并给出面密度与体密度之间关系式.采用二维半导体自由载流子面密度表示式和范德堡-霍尔实验测量在衬底GaAs上MBE生长的Q2D的样品GaSb和InAs1-xSbx(x≈0.22)禁带宽度Eg,获得满意结果.
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