【摘 要】
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用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370～395 nm之间,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度依赖于
【机 构】
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辽宁工业大学机械工程与自动化学院,
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用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370～395 nm之间,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度依赖于薄膜的掺杂浓度,并分析了产生这种关系的原因。Al2O3:Ce3+非晶薄膜发光特性在平板显示等领域有着广泛潜在的应用前景。
The amorphous film of Al2O3: Ce3 + was prepared by MF reactive magnetron sputtering. The photoluminescence peak of these films is between 370 and 395 nm, which is due to the transition from the 5d1 excited state of Ce3 + ion to the two cleavage levels of ground state 4f1. Luminous intensity depends on the doping concentration of the thin film, and analyzed the reason for this relationship. The luminescent properties of Al2O3: Ce3 + amorphous thin films have a wide range of potential applications in the field of flat panel displays.
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