【摘 要】
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对碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)在升压斩波电路中的应用进行了深入研究。实验中分别对普通Si二极管和SiC SBD进行了比较,结果表明,SiC二极管具有良好的动态特性,其反向恢复
【基金项目】
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国家电网公司科技项目(ZL71-09-001)~~
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对碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)在升压斩波电路中的应用进行了深入研究。实验中分别对普通Si二极管和SiC SBD进行了比较,结果表明,SiC二极管具有良好的动态特性,其反向恢复电流约为普通Si二极管的1/4,同时对IGBT开通时的电流过冲有很好的抑制作用。此外,对载流子寿命对二极管反向恢复的影响进行了仿真分析,结果表明,缩短少数载流子寿命能很好地抑制反向恢复电流峰值,减小反向恢复时间。
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