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基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法，采用三椭球等能面、抛物线性简化，建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型，精确描述了不同散射机制对于6H—SiC低场电子输运特性的影响．计算结果与实测值有很好的一致性．
SiC电子霍耳迁移率的计算
【摘 要】
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基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法，采用三椭球等能面、抛物线性简化，建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型，精确描述了不同散射
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【出 处】
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计算物理
【发表日期】
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2006年1期
【基金项目】
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教育部重点（02074）和国防科技预研基金（51408010601DZ1032）资助项目
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