【摘 要】
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设计并制备了一款短波长红光640nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层,其中,限制层使用低折射率的AlInP材料,有源区使用张
【机 构】
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山东华光光电子股份有限公司; 济南大学物理科学与技术学院; 山东大学晶体材料国家重点实验室;
【基金项目】
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国家重点研发计划(2017YFB0404901,2016YFB0401802)
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设计并制备了一款短波长红光640nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层,其中,限制层使用低折射率的AlInP材料,有源区使用张应变的GaInP/AlGaInP量子阱。外延层有源区的光致发光谱出现两个分裂的发光峰,位于627nm及616nm处,分别对应于电子到轻空穴及重空穴的跃迁。对芯片窗口区域进行选择性Zn扩散,量子阱原子发生混杂,波长蓝移了43nm。不带非吸收窗口的器件在1.9A发生腔面灾变性光学损伤(COD),功率为1.4 W。而带窗口结构的器件没有产生COD,功率输出受限于热饱和,最大功率为2.3 W。室温连续电流测试,1A下波长为639nm,1.5A下波长为640nm。器件水平发散角为6°,垂直发散角为41°。
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