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利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，淀积a—SiNx／nc—Si／a—SiNx不对称双势垒存储结构．通过电容和电导测试研究结构的界面态特性．实验结果表明，采用PECVD方法制备的不对称存储结构的界面特性良好，其界面态密度为3×10^10cm^-2eV^-1．
用电容和电导测量法研究SiNx／nc—Si／SiNx双势垒结构界面特性
【摘 要】
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利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，淀积a—SiNx／nc—Si／a—SiNx不对称双势垒存储结构．通过电容和电导测试研究结构的界面态特性．实验结果表明，采用PECVD方法制备的不对称存储
【机 构】
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韩山师范学院物理与电子工程系
【出 处】
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韩山师范学院学报
【发表日期】
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2011年3期
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