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发光二极管（LED）中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布．而芯片温度又影响载流子的输运及复合，两者具有强烈的耦合关系。本文利用非等温多物理场耦合模型对以蓝宝石、si及SiC为衬底的LED芯片的内量子效率、光谱特性及光电转换效率进行了系统研究。结果表明：以SiC为衬底的LED芯片具有最小的效率下垂效应（Efficiencydroop）及最高的光谱强度和光电转换效率。这是因为与其他两种衬底的LED芯片相比，以SiC为衬底的LED芯片具有最好的散热性能，因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响