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计算了GaAs/Al_xGa_(1-x)As和In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y量子阱中激子的结合能,得到了结合能随阱宽和阱深的变化。结果表明,在这两类量子阱结构中激子结合能的变化规律有本质的不同。
GaAs／AlxGa1—xAs和In1—xGaxAs／GaSb,—y Asy量子阱中激子的结合能
【摘 要】
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计算了GaAs/Al_xGa_(1-x)As和In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y量子阱中激子的结合能,得到了结合能随阱宽和阱深的变化。结果表明,在这两类量子阱结构中激子结合能的变化规律有
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1989年1期
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