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用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料，对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明，掺磷a-Si：H薄膜的电阻率随磷掺杂比（PH3/SiH4）的增大和气体温度的升高而降低，但随退火温度的升高而增大，掺磷a-Si：H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大，但随环境温度的升高而降低。