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我们利用分子束外延技术生长的 Al_xGa_(1-x)As/GaAs 调制掺杂异质结材料做成霍耳测量样品,在 T=2K 的温度下及 B=4～5T 的磁场中进行了测量,得到 i=2时的量子霍耳电阻 R_H=12906.4±0.1Ω,总误差小于8ppm.
AlxGa1—xAs／GaAs异质结果面上二维电子气量子霍耳效应的测量
【摘 要】
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我们利用分子束外延技术生长的 Al_xGa_(1-x)As/GaAs 调制掺杂异质结材料做成霍耳测量样品,在 T=2K 的温度下及 B=4～5T 的磁场中进行了测量,得到 i=2时的量子霍耳电阻 R_H=129
【机 构】
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中国科学院半导体物理研究所,凝聚态和辐射物理分中心CCAST（WorldLab.）,中国科学院物理研究所北京,北京
【出 处】
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低温物理学报
【发表日期】
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1989年3期
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