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透明导电氧化物薄膜具有高的可见光透明度和较低的电阻系数，已成为当前的研究热点．早期关于氧化铟材料的理论研究没有考虑In原子4d电子的交换关联库伦位能，使得计算的带隙值远低于实验值；另外关于Sn原子掺杂的氧化铟物理特性的研究比较少，不同掺杂位置对材料结构和电子结构的影响缺乏系统的研究．本文采用基于密度泛函理论的第一性原理的LDA＋U方法系统研究了Sn掺杂In2O3材料的电子结构和光学性质．研究表明Sn的引入能降低In2O3体系的禁带宽度，并在禁带中引入主要由Sn-5p轨道上的电子构成的杂质能级，禁带宽度的降