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采用常规P阱CMOS工艺，实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器律。制作的器件，其击穿电压为55V，阈值电压0．92V，驱动电流25mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。
与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用
【摘 要】
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采用常规P阱CMOS工艺，实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器律。制作的器件，其击穿电压为55V，阈值电压0．92V，驱动电流25mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测
【机 构】
：
江南大学信息工程学院,中国电子科技集团公司第五十八研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2007年1期
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