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,Room-Temperature Annealing of 1 MeV Electron Irradiated Lattice Matched In0.53Ga0.47As/InP Multiple
【机 构】
：
Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments, Xinjiang Technical Inst
【出 处】
：
中国物理快报（英文版）
【发表日期】
：
2015年5期
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