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利用射频磁控溅射工艺制备了ITO防静电薄膜。研究了辐照试验前后ITO样品的光电性能变化,并用XPS和AFM对其组分及表面形貌变化进行了分析。结果表明,辐照后ITO薄膜的光学透过率变化不大;表面电阻有一定增加,但幅度不大,完全可以满足防静电的要求。
空间防静电薄膜的制备及耐辐照性能研究
【摘 要】
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利用射频磁控溅射工艺制备了ITO防静电薄膜。研究了辐照试验前后ITO样品的光电性能变化,并用XPS和AFM对其组分及表面形貌变化进行了分析。结果表明,辐照后ITO薄膜的光学透过
【机 构】
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兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室
【出 处】
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真空与低温
【发表日期】
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2008年4期
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