A passively Q-switched diode pumped Yb:YAG microchip laser

来源 :ChineseOpticsLetters | 被引量 : 0次 | 上传用户：ecoffe

【摘要】

：

【作者】

：

HaishengWu PingYan MaliGong QiangLiu

【机构】

：

DigitalPhotonicsLaboratory,DepartmentofPrecisionInstruments,TsinghuaUniversity,Beijing100084

【出处】

：

ChineseOpticsLetters

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

140.3540 lasers Q-switched 140.3480 lasers diode-pumped 140.3580 lasers

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A passively Q-switched diode pumped Yb:YAG microchip laser with Cr^(4 ):YAG saturable absorber mirror is reported. The TEM00 laser pulses are obtained with 1.7-μJ pulse energy, 15-ns pulse width, 0.11-kW peak power, and a repetition rate of 2.2 kHz at 1049 nm. The doped concentration and dimension of Yb:YAG microchip crystal are 10 at.-% and Ф5 × 0.6 mm^(2), respectively.

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