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极紫外光刻（EUVL）是最有可能实现22 nm技术节点的下一代光刻技术。极紫外（EUV）光刻系统使用波长为13．5 nm，在此波段下曝光设备只能采用全反射式系统。然而，在极紫外光辐照下的光学元件，薄膜表层的碳化和氧化是导致EUV反射膜反射率下降的两种主要机制。结合EuV光学器件的表面分子动力学理论，研究碳沉积层的作用机理，以便找到抑制污染沉积的有效方法。通过针对碳污染层模型的计算研究，验证了模型和假设的有效性，从侧面证明了Boiler等的“二次电子诱导分解是主要沉积过程”理论。通过迭代法模拟了控制污染的几