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本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO2膜和氮化后再氧化SiO2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间以及平带电压漂移随注入时间的变化关系;提出降低体电子陷阱密度和界面态密度的有效途径。
快速热氮化SiO2膜陷阱特性的研究
【摘 要】
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本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO2膜和氮化后再氧化SiO2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间以
【机 构】
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华南理工大学物理系,华南理工大学物理系广州,广州,广州
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1990年6期
【基金项目】
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中国科学院科学基金,Croucher资金,香港大学关键性研究拨款
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