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A Back-Gated Ferroelectric Field-Effect Transistor with an Ai-Doped Zinc Oxide Channel
【机 构】
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SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics,InstituteofMicroelectronics,DepartmentofElectrical
【出 处】
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中国物理快报：英文版
【发表日期】
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2015年2期
【基金项目】
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Supported by the Fundamental Research Funds for the Central Universities of China.
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