一款超高压LDMOS管的物理建模

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【摘要】

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借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST

【作者】

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程东方汪维勇易志飞沈伟星

【机构】

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上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072上海大学微电子研发中心,上海,200072;

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2010年6期

【关键词】

：

LDMOS 宏模型准饱和效应物理模型

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借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTIII,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等.所得结论与实测结果基本吻合.

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