【摘 要】
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运用交流阻抗方法系统研究了单空穴注入型器件ITO/PEDOT/P3HT/Ag(P3HT:poly(3-hexylthiophene))在多种退火温度下的电容-频率变化关系,推算出样品中相应条件下的空穴迁移率,
【机 构】
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华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,
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运用交流阻抗方法系统研究了单空穴注入型器件ITO/PEDOT/P3HT/Ag(P3HT:poly(3-hexylthiophene))在多种退火温度下的电容-频率变化关系,推算出样品中相应条件下的空穴迁移率,发现退火温度对空穴迁移率有明显影响,未经过退火的样品空穴迁移率为10-4cm2/Vs数量级,迁移率数值基本不随电场强度的改变而变化,退火后样品的空穴迁移率有明显提高,约为10-3cm2/Vs数量级,此时,空穴迁移率受电场影响相对较大.
The relationship between capacitance and frequency of ITO / PEDOT / P3HT / Ag (P3HT: poly (3-hexylthiophene)) under various annealing temperatures was systematically investigated by AC impedance method. The results show that the annealing temperature has a significant influence on the hole mobility. The hole mobility of the sample without annealing is about 10-4cm2 / Vs, and the mobility does not change with the change of the electric field strength. The annealed sample Of the hole mobility has improved significantly, about the order of 10-3cm2 / Vs, at this time, the hole mobility is relatively affected by the electric field.
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