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碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）以其优良的性能得到广泛关注,结温是一个关键指标,用于健康状况监测。这里基于状态监控的需要,提出一种开通瞬态漏极电流变化率(dids/dt)结温提取的方法,首先从理论层面分析了dids/dt温度相关性,并用实验表明了dids/dt随着器件结温增加而增加,然后又对影响dids/dt的因素进行了分析,在双脉冲实验中证实了dids/dt的温度敏感度随负载电流和外部栅极电阻增加而增加,该方法在大驱动电阻下有更好的温度敏感度但也增加了开关损耗,牺牲了开关频率,基于此提出一种智能驱动器的方法,在不增加开关损耗的前提下有效测量SiC MOSFET的结温。