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基于Geant4和TCAD（Technology—Computer Aided—Design）建立了一套评估静态存储器（SRAM）单粒子效应的方法．该方法利用TCAD软件模拟半导体存储单元对粒子能量沉积的响应，获得SRAM的重离子单粒子翻转截面，并应用蒙特卡罗工具包Geant4计算质子与硅材料的核反应以及次级粒子在灵敏体积内的能量沉积，进而获得质子的单粒子翻转率．利用该方法，计算了TSMC0．18pm未加固SRAM的重离子和质子翻转率，通过与同工艺SRAM的重离子实验结果进行比较，初步验证了该方法的有效性