32nm和22nm新IC材料的腐蚀

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【摘要】

：

在2008年3月召开的等离子体腐蚀使用者集团（PEUG）会议上，IBM和应用材料公司介绍了用于32nm和22nm工艺代IC的先进腐蚀加工方法。这2家公司在45nm和32nm工艺代CMOS晶体管的栅堆栈

【作者】

：

邓志杰（摘译）

【出处】

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现代材料动态

【发表日期】

：

2009年2期

【关键词】

：

腐蚀条件材料 IC CMOS晶体管等离子体加工方法公司介绍使用者

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在2008年3月召开的等离子体腐蚀使用者集团（PEUG）会议上，IBM和应用材料公司介绍了用于32nm和22nm工艺代IC的先进腐蚀加工方法。这2家公司在45nm和32nm工艺代CMOS晶体管的栅堆栈的等离子体腐蚀方面，是把不同腐蚀条件的单个腐蚀室集结在同一“工具”中（因这种堆栈含有多种材料），一个室在相对低的温度下用于多晶Si腐蚀，

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