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杂质对金属—半导体界面电子态的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fudxing

【摘 要】

：

本文用一线紧束缚模型(1DTB)和格林函数(GF)方法研究了杂质对金属-半导体界面电子态的影响。该模型包括一个一维半无限金属(含有单个杂质,用Koster-Slater模型描述)和一个一

【作 者】

：

杨宗献 张涛 

【机 构】

：

HenanNormalUniv

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年8期

【关键词】

：

杂质 金属 半导体界面 电子态 Green's function Tight-binding model Electronic density of 

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本文用一线紧束缚模型(1DTB)和格林函数(GF)方法研究了杂质对金属-半导体界面电子态的影响。该模型包括一个一维半无限金属(含有单个杂质,用Koster-Slater模型描述)和一个一维半无限的半导休(用Bose和Foo的s、p轨道交替排列的模型描述).并以Ni-ZnO系统为例,对不同的杂质及其处于不同的位置时分别计算了界面处半导体一边的电子态密度和界面态能级,以此来观察杂质对界面电子态的影响.

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